一种高温耐冲击压力传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高温耐冲击压力传感器及其制备方法，该传感器包括金属套管以及套在金属套管内的芯体，芯体与金属套管的连接部分设有螺纹，芯体与金属套管通过螺纹加激光焊接的方式连接在一起；芯体包括圆柱状的壳体，在壳体的上端设置有水平凹槽，水平凹槽内设有SOI芯片；壳体内设置有引线电极，SOI芯片的压焊点电极通过金丝与壳体的引线电极连接；壳体的引线电极引出为内引线，该内引线通过夹具连接至外引线。该压力传感器将扩散硅PN结隔离工艺设计方案改进为绝缘层隔离SOI工艺方案。使其温度可达300℃，解决了PN结隔离因高温下漏电流过大而使传感器无法工作问题。

主权项

一种高温耐冲击压力传感器，其特征在于，包括金属套管(B)以及套在金属套管(B)内的芯体(A)，所述芯体(A)与金属套管(B)的连接部分设有螺纹，芯体(A)与金属套管(B)通过螺纹加激光焊接的方式连接在一起；所述芯体(A)包括圆柱状的壳体(1)，在所述壳体(1)的上端设置有水平凹槽(4)，所述水平凹槽(4)内设有SOI芯片(2)；所述壳体(1)内设置有引线电极，所述SOI芯片(2)的压焊点电极通过金丝(3)与壳体(1)的引线电极连接；壳体(1)的引线电极引出为内引线(8)，该内引线(8)通过夹具(7)连接至外引线(9)；壳体(1)的下部设置有环形凹槽(5)；壳体(1)的内部设置有内引线通道；所述金属套管(B)的一端设置有外螺纹(E)，金属套管(B)中部通过套设并固定有螺母(D)；所述SOI芯片(2)是采用集成电路平面工艺技术，在弹性膜的应力极值区内制造四个桥路电阻，组成一个惠斯顿电桥，四个桥路电阻采用SOI材料组成；电阻材料为单晶硅或多晶硅，各电阻之间通过绝缘层隔离开，在电学性能上完全独立。