锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管，N区由形成于有源区中并被N型深阱包覆；在有源区两侧的浅槽场氧底部形成有赝埋层，N区通过N型深阱和赝埋层相连接。N区的电极通过形成于赝埋层顶部的浅槽场氧中的深孔接触引出。P区由形成于有源区中的一P型离子注入区组成，P区位于N区的顶部并和N区相接触且P区的掺杂浓度大于所述N区的掺杂浓度；P区的电极通过形成于有源区顶部的金属接触引出。本发明还公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管的制造方法。本发明能与锗硅BiCMOS工艺完全集成，能为锗硅BiCMOS的电路设计提供一种稳压器件。

主权项

一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成浅沟槽和有源区；步骤二、在所述有源区周侧的所述浅沟槽的底部的进行N型离子注入形成赝埋层；步骤三、在所述浅沟槽中填入氧化硅形成浅槽场氧；在所述硅衬底的正面进行离子注入工艺形成N型深阱，所述N型深阱位于所述有源区中，所述N型深阱的深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述N型深阱横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部；所述赝埋层和所述N型深阱在所述浅槽场氧底部相接触；步骤四、在所述有源区中进行N型离子注入形成N区；所述N区的横向尺寸小于等于所述有源区的横向尺寸、且所述N区被所述N型深阱包覆，所述N区通过所述N型深阱和所述赝埋层相连接；步骤五、在所述有源区中进行P型离子注入形成P区，所述P区位于所述N区的顶部并和所述N区相接触，所述P区的掺杂浓度大于所述N区的掺杂浓度；步骤六、在所述赝埋层顶部的浅槽场氧中形成深孔接触引出所述N区的电极；在所述有源区顶部形成和所述P区接触的金属接触并引出所述P区的电极。