| 摘要 |
<p>가공칩 배출을 능률 좋게 행할 수 있어 소경 구멍의 방전 펀칭 가공을 고속으로 행할 수 있는 세공 방전 가공 장치를 제공하는 것이다. Z축 방향으로 이동되고 또한 회전되도록 설치된 회전 샤프트(8)와, 회전 샤프트(8)에 상부를 수용 고정시켜 막대 형상 전극 또는 파이프 전극인 가공용 전극(11)의 상부를 보유 지지하는 전극 홀더(10)와, 워크(14)의 근방에서 가공용 전극(11)의 하부를 가공액의 액막을 개재시켜 Z축 방향으로 가이드하는 전극 가이드(13)를 구비하고, 전극 가이드(13)를 워크의 근방에 있어서 고정하는 하우징 블록(17) 내에 고압 가공액(22c)을 수용하는 고압 가공액 수용실(9)을 구비하고, 고압 가공액 수용실(9)의 하단부에, 전극 직경보다도 초미소하게 큰 구경으로 규제되어 있고, 세공 방전 가공에 의해 형성되는 입구부 방전 가공 구멍 직경(35a)에 거의 동등한 직경의 고압 가공액(22c)의 분사류가 거의 확대되지 않고 방전 가공 간극에 침입시키는 고압 가공액 분사구(9a)를 구비하여 이루어진다.</p> |
