含锗半导体器件中之接点形成;CONTACT FORMATION IN GE-CONTAINING SEMICONDUCTOR DEVICES

摘要

本发明揭示一种用于在一半导体结构(9)之一含Ge接点区(3)上产生一接点之程序，该程序包括下列步骤：- 提供该半导体结构(9)，其包括：i. 一含Ge接点区(3)，ii. 视情况而言，一SiO2层(5)，其涂布该含Ge接点区(3)，iii. 一Si3N4层(6)，其涂布该SiO2层(5)(若存在)或该含Ge接点区(3)，- 藉由一感应耦合式电浆选择性蚀刻该Si3N4层(6)，从而曝露该下伏SiO2层(5)(若存在)或该含Ge接点区(3)，- 选择性蚀刻该SiO2层(5)(若存在)，从而曝露该SiGe：B接点区(3)，且- 在该含Ge接点区(3)上产生该接点。