纳米柱/针森林结构的图形化加工方法

摘要

本发明涉及一种纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其包括如下步骤：a、清洗第一基片和第二基片；b、在上述的第二基片的下表面设置与第一基片材料相似的第一基片相似材料层，在第二基片上设置若干穿通结构，以形成镂空基片；c、将上述镂空基片粘结在第一基片的上表面，以在镂空基片的下表面与第一基片的上表面间形成刻蚀腔；d、利用镂空基片的穿通结构对第一基片的上表面进行刻蚀；e、将镂空基片从第一基片的上表面去除，以在第一基片上得到纳米柱/针森林结构。本发明能有效克服电子束光刻和聚焦离子束刻蚀技术在批量加工方面的限制，并可有效降低工艺复杂程度，实现具有可调控性的图形化纳米柱/针森林结构。

主权项

一种纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是，所述图形化加工方法包括如下步骤：（a）、准备并清洗提供的第一基片（101）和第二基片（102）；（b）、在上述的第二基片（102）的下表面设置与第一基片（101）材料相似的第一基片相似材料层（103），在第二基片（102）上设置若干穿通结构（104），所述穿通结构（104）穿通第二基片（102）以及第一基片相似材料层（103），以形成镂空基片；（c）、将上述镂空基片粘结在第一基片（101）的上表面，第一基片相似材料层（103）对应且邻近第一基片（101）上表面，第一基片（101）的上表面与镂空基片的下表面间在粘结后得到引入的距离，以在镂空基片的下表面与第一基片（101）的上表面间改变刻蚀气体等离子体（301）的运动轨迹；（d）、采用各向异性刻蚀技术对镂空基片的上表面进行刻蚀，且利用镂空基片的穿通结构（104）对第一基片（101）的上表面进行刻蚀；（e）、将镂空基片从第一基片（101）的上表面去除，以在第一基片（101）上得到与穿通结构（104）所在位置相对应的纳米柱/针森林结构（401）。