HTHP合成半导体人造金刚石的方法

摘要

本发明涉及一种HTHP合成半导体人造金刚石的方法。该方法是以单质硼为人造金刚石改性元素，以FeNiCo合金粉和高纯石墨粉为原材料，经混合、冷等静压、破碎、成型、真空高温焙烧、整形等工序制备合成半导体人造金刚石用石墨柱，再与叶腊石模、钢杯、氧化镁杯、石墨片、导电钢帽等附件组装，利用六面顶液压机以HTHP方式使石墨转化为半导体人造金刚石，再经化学处理即可得出优质半导体人造金刚石。本发明方法能通过调节原材料不同配比方式自由调控半导体人造金刚石电阻率，产量高，制备出的半导体人造金刚石比普通人造金刚石更耐高温，化学惰性更好，自锐性强。

主权项

一种HTHP合成半导体人造金刚石的方法，主要包括以下步骤：原料混合、冷等静压、破碎、成型、真空高温焙烧、整形、组装、HTHP方式转化、化学提纯处理，其特征在于，以单质硼、FeNiCo合金粉和高纯石墨粉为原料，且三者的重量比为单质硼：FeNiCo合金粉：高纯石墨粉=0.0001～0.6：30～70：70～30；所述单质硼的纯度＞95%，FeNiCo合金粉纯度＞95%，高纯石墨粉纯度＞98%；在进行所述HTHP方式转化时，其中压力控制在4.5～5.5GPa，温度控制在1250～1500℃。