| 摘要 |
<p>Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiteranordnung mit den Schritten: Ausbilden einer Isolierschicht (16) über einem leitenden Gebiet; Ausbilden einer Siliziumschicht (40) über der Isolierschicht; Ausbilden einer Strukturübertragungsschicht (42) über der Siliziumschicht (40); Entfernen von Teilbereichen der Strukturübertragungsschicht (42) zum Freilegen von Teilbereichen der Siliziumschicht (40), wobei die verbleibenden Teilbereiche der Strukturübertragungsschicht (42) über Teilbereichen der Isolierschicht (16) liegen, in welchen Kontaktlöcher ausgebildet werden; Ändern der freiliegenden Teilbereiche (52) der Siliziumschicht (40), so dass die freiliegenden Teilbereiche (52) der Siliziumschicht (40) von nicht freiliegenden Teilbereichen der Maskierungsschicht (40) verschieden sind; Entfernen der verbleibenden Teilbereiche der Strukturübertragungsschicht (42); Entfernen von Teilbereichen der Siliziumschicht (40), die unter der Strukturübertragungsschicht (42) lagen und während des Veränderungsschrittes nicht verändert wurden, durch ein HF-Ätzen, wobei Teilbereiche der Isolierschicht (16) freigelegt sind, nachdem die nicht reagierten Teilbereiche der Siliziumschicht (40) entfernt worden sind; und Ätzen der freiliegenden Teilbereiche der Isolierschicht (16).</p> |
