| 发明名称 | 一种提高可控硅承受阳极电压上升率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高可控硅承受阳极电压上升率的方法，由主回路电源为可控硅提供阳极正向电压，可控硅的门极与阴极间串接串联的触发控制电源及开关一，其特征在于：电源的负极串接开关二后与可控硅的门极相连，电源的正极与可控硅的阴极相连，当开关一断开且开关二闭合后，由电源给可控硅的门极与阴极之间提供反向电压偏置，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，也不会产生充电电流，使可控硅误导通。本发明保证了可控硅的门极与阴极之间为负偏，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，不会产生充电电流，使可控硅误导通，这样就提高了可控硅承受的阳极电压上升率du/dt的能力。 | ||
| 申请公布号 | CN104821810A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201510096248.7 | 申请日期 | 2015.03.04 |
| 申请人 | 上海发电设备成套设计研究院;上海科达机电控制有限公司 | 发明人 | 逯乾鹏;赵莉;唐小亮;梁安江 |
| 分类号 | H03K17/567(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/567(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人 | 翁若莹 |
| 主权项 | 一种提高可控硅承受阳极电压上升率的方法，由主回路电源为可控硅提供阳极正向电压，可控硅的门极(G)与阴极(K)间串接串联的触发控制电源及开关一(1)，其特征在于：电源的负极串接开关二(2)后与可控硅的门极(G)相连，电源的正极与可控硅的阴极(K)相连，当开关一(1)断开且开关二(2)闭合后，由电源给可控硅的门极(G)与阴极(K)之间提供反向电压偏置，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，也不会产生充电电流，使可控硅误导通。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区剑川路1115号 | ||