硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法

摘要

本发明公开了一种硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法。该方法包括以下步骤：采用清洗液清除硅片表面的氮化硅膜，其中清洗液含有质量比为1∶90～130的高锰酸钾和氢氟酸。应用本发明的技术方案，采用高锰酸钾和氢氟酸按照1∶90～130的质量比溶于水中配制成的清洗液对不合格的硅片(掉渣片或彩虹片)表面的氮化硅膜进行清洗，不仅可以去除表面的氮化硅膜，同时还能保证硅片的厚度，并且对硅片的腐蚀不受反应时间长短的影响。

主权项

一种硅片表面的氮化硅膜的清除方法，其特征在于，所述清除方法包括以下步骤：1)清洗液的配制：将高锰酸钾和氢氟酸按照1：90的质量比溶于水中配制成所述清洗液，氢氟酸的质量百分含量为80％；2)将掉渣片插入片盒中，放入所述清洗液；3)室温下浸泡30分钟；4)取出硅片用纯净水冲洗2次；5)采用热风干燥将硅片进行热风干燥；或者，所述清除方法包括以下步骤：1)清洗液的配制：将高锰酸钾和氢氟酸按照1：120的质量比溶于水中配制成所述清洗液，氢氟酸的质量百分含量为40％；2)将彩虹片插入片盒中，放入所述清洗液；3)室温下浸泡4小时；4)取出硅片用纯净水冲洗2次；5)采用热风干燥将硅片进行热风干燥；或者，所述清除方法包括以下步骤：1)清洗液的配制：将高锰酸钾和氢氟酸按照1：120的质量比溶于水中配制成所述清洗液，氢氟酸的质量百分含量为60％；2)将掉渣片插入片盒中，放入所述清洗液；3)室温下浸泡60分钟；4)取出硅片用纯净水冲洗2次；5)采用热风干燥将硅片进行热风干燥。