| 发明名称 | 弯曲的二次电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种弯曲的二次电池及其制造方法。弯曲的二次电池包括：电极组件；在电极组件的第一表面的第一密封片；在电极组件的第二表面的第二密封片，第一密封片和第二密封片一起密封电极组件；以及在第一密封片上的加固层，其中第一密封片具有凹入地弯曲的表面，并且其中加固层具有等于第一密封片的曲率。 | ||
| 申请公布号 | CN104821411A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201510041955.6 | 申请日期 | 2015.01.28 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 成宰一 |
| 分类号 | H01M10/04(2006.01)I | 主分类号 | H01M10/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 张红霞;周艳玲 |
| 主权项 | 一种二次电池，包括：电极组件；在所述电极组件的第一表面处的第一密封片；在所述电极组件的第二表面处的第二密封片，所述第一密封片和所述第二密封片一起密封所述电极组件；和在所述第一密封片上的加固层，其中所述第一密封片具有凹入地弯曲的表面，并且其中所述加固层具有等于所述第一密封片的曲率的曲率。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||