碳化矽之结晶成长方法;METHOD FOR GROWING SILICON CARBIDE CRYSTAL

摘要

本发明为在藉由熔液法之碳化矽之结晶成长方法中，使用以SiC为主成分的坩埚来作为Si-C熔液之收容部。加热该SiC坩埚(例如，使坩埚内的等温线形成向下侧呈凸出之温度分布)，使以该坩埚的主成分之SiC为来源的Si及C，从与Si-C熔液接触的坩埚表面的高温领域溶出至Si-C熔液内，以抑制在与Si-C熔液接触的坩埚表面的SiC多晶之析出。使SiC种晶从坩埚之上部接触于如此般状态的Si-C熔液，使SiC单晶于该SiC种晶上成长。藉由使用以SiC为主成分的坩埚，S-C熔液之组成变动为少，亦可抑制于坩埚内壁析出的多晶、或添加金属元素M及碳C结合所形成的金属碳化物之产生。