于半导体元件中形成高深宽比（ＨＡＲ）特征结构之电化学蚀刻方法

主权项

一种于半导体元件中形成高深宽比(HAR)特征结构之电化学蚀刻方法，包括：将一矽晶圆浸置含氟离子浓度为20mol/dm3之蚀刻溶液中，以一具有增加电催化活性之几何形状的钨电极对应该矽晶圆之一预蚀刻位置，提供1V~7V之定电位予该钨电极，并配合一蚀刻溶液供喂方法和一矽晶圆氧化物排离方法，将蚀刻液充份喂给该预蚀刻位置，以催化该蚀刻溶液与该矽晶圆之间的电化学反应，并使矽晶圆氧化物排离该预蚀刻位置，据以于该矽晶圆成型一高深宽比特征结构。