回路基板

摘要

本開示は、第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層、第２の像形成された金属層、８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含むポリイミドボンドプライ、第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層、第４の像形成された金属層を有する回路基板に関する。