一种集成电路及其操作方法

摘要

本发明公开了一种集成电路及其操作方法，该集成电路包括一三维存储阵列，包含多个阶层，该多个阶层各自包括NAND串行的二维阵列，该多个NAND串行包含存储单元及开关晶体管，该多个开关晶体管具有横越该多个阶层而变化的阈值电压阶层的组合；多条选择线，被电性耦接至该多个开关晶体管；以及控制电路，是施加一偏压配置至该多个选择线，如此而由该多个开关晶体管选择位于该多个阶层中的一特定阶层上的该多个NAND串行，并由该多个开关晶体管不选择位于该多个阶层中除该特定阶层外的其他阶层上的该多个NAND串行。位于三维存储阵列中一特定阶层上的NAND串行被选择，而位于其他阶层上的NAND串行不被选择。

主权项

一种集成电路，包括：一三维存储阵列，包含多个阶层，该多个阶层各自包括NAND串行的二维阵列，多个NAND串行包含存储单元及开关晶体管，多个开关晶体管具有横越该多个阶层而变化的阈值电压阶层的组合；多条选择线，被电性耦接至该多个开关晶体管，其中由该多条选择线中其中一条所控制的该多个开关晶体管的阈值电压，是依照一开关阈值电压阶层量而定；以及控制电路，是施加一偏压配置至该多条选择线，如此而由该多个开关晶体管选择位于该多个阶层中的一特定阶层上的该多个NAND串行，并由该多个开关晶体管不选择位于该多个阶层中除该特定阶层外的其他阶层上的该多个NAND串行。