发明名称 |
半导体封装结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明提出一种半导体封装结构及其制作方法。该方法包括以下步骤:提供一具有多个贯孔的第一介电层。提供一具有多个导电通孔及一芯片容纳开口的第二介电层。将第二介电层压合于第一介电层上。将一芯片配置于芯片容纳开口中,并使芯片贴附于芯片容纳开口所暴露出的第一介电层上。芯片的一背面贴附于第一介电层上。于第二介电层上形成一重配置线路层。部分重配置线路层从第二介电层延伸至芯片的一有源表面与导电通孔上,以使芯片通过部分重配置线路层与导电通孔电性连接。于第一介电层上形成多个焊球。焊球位于贯孔内且通过导电通孔及重配置线路层而与芯片电性连接。本发明的半导体封装结构具有较佳可靠度与较小的封装厚度。 |
申请公布号 |
CN102956547B |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
CN201110320424.2 |
申请日期 |
2011.10.11 |
申请人 |
南茂科技股份有限公司 |
发明人 |
廖宗仁;彭美芳;黄成棠 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
骆希聪 |
主权项 |
一种半导体封装结构的制作方法,包括:提供一第一介电层,该第一介电层具有多个贯孔;提供一第二介电层,该第二介电层具有多个导电通孔以及一芯片容纳开口;将该第二介电层压合于该第一介电层上,其中所述导电通孔对应所述贯孔设置,且该芯片容纳开口暴露出该第一介电层的部分区域;将一芯片配置于该芯片容纳开口中,并使该芯片贴附于该芯片容纳开口所暴露出的该第一介电层上,其中该芯片具有彼此相对的一有源表面以及一背面,该芯片的该背面贴附于该第一介电层上;于该第二介电层上形成一重配置线路层,其中部分该重配置线路层从该第二介电层延伸至该芯片的该有源表面与所述导电通孔上,以使该芯片通过部分该重配置线路层与所述导电通孔电性连接;以及于该第一介电层上形成多个焊球,其中所述焊球位于所述贯孔内,且所述焊球通过所述导电通孔以及该重配置线路层而与该芯片电性连接,其中各该焊球的一部分在一回焊制程中填充于对应的该导电通孔。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 |