半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种能够即使在水从半导体器件以外渗透进焊盘之上的开口时仍然阻止在开口的侧表面暴露的氮化钛膜转变成氧化钛膜并且因此提高半导体器件的可靠性的技术和一种能够阻止在焊盘的表面保护膜中出现裂缝并且提高半导体器件的可靠性的技术。形成开口使得开口的直径小于另一开口的直径并且在另一开口中包括该开口。由于这一点，有可能用该开口形成于其中的表面保护膜覆盖在另一开口的侧表面暴露的防反射膜的侧表面。由于这一点，有可能形成焊盘而不暴露防反射膜的侧表面。

主权项

一种半导体器件，其中半导体衬底具有接线形成区域和防护环形成区域，其中在所述接线形成区域中形成有：(a1)第一焊盘，形成于所述半导体衬底之上；(b1)第一表面护膜，所述第一表面保护膜包括形成在所述第一焊盘之上的第一开口；以及(c1)第二表面保护膜，所述第二表面保护膜包括形成在所述第一焊盘和所述第一表面保护膜之上的第二开口，其中所述第一焊盘具有：(a11)第一传导膜；以及(a12)防反射膜，形成于所述第一传导膜之上，其中在所述第一开口的内区域中包括所述第二开口，其中在所述第一开口的所述内区域中去除所述防反射膜，其中在所述防护环形成区域中形成有：(a2)第二焊盘，形成于所述半导体衬底之上；(b2)所述第一表面保护膜，所述第一表面保护膜包括形成在所述第二焊盘之上的第三开口；以及(c2)所述第二表面保护膜，所述第二表面保护膜嵌入在所述第三开口中，并且形成于所述第二焊盘和所述第一表面保护膜之上，其中所述第二焊盘具有：(a21)所述第一传导膜；以及(a22)所述防反射膜，形成于所述第一传导膜之上，并且其中从所述第三开口的内区域去除所述防反射膜。