基于频率选择性耦合技术的宽阻带LTCC带通滤波器

摘要

本发明公开基于频率选择性耦合技术的宽阻带LTCC带通滤波器，包括两个四分之一波长谐振器，金属地板和一对馈电线结构。谐振器和馈电线分布在四层导体层上。馈电线采用宽边耦合的方式将能量传输到谐振器上，谐振器之间通过边耦合传输能量。本发明通过选择恰当的耦合区间，实现频率选择性耦合技术，从而有效的抑制三次谐波，同时，两个馈电线之间引入一种弱耦合，即源负载耦合，在通带附近产生了两个传输零点，实现了较好的频率选择性，同时在阻带也产生了一个零点，增强阻带抑制水平。本发明具有抑制三次谐波，高选择性，多传输零点，结构紧凑的优点。

主权项

基于频率选择性耦合技术的宽阻带LTCC带通滤波器，其特征在于包括四层介质基板和四层导体层，四层介质基板从上到下依次为第一介质基板（1）、第二介质基板（2）、第三介质基板（3）和第四介质基板（4），所述的四层介质基板均为LTCC陶瓷介质基板；所述第一导体层印制于第一介质基板（1）上表面，第二导体层印制于第二介质基板（2）上表面，第三导体层印制于第三介质基板（3）上表面，第四导体层印制于第四介质基板（4）上表面；所述印制采用LTCC印刷工艺；所述第一导体层由一对结构相同的馈电结构组成，这对结构相同的馈电结构呈镜像对称，每一个馈电结构包括一条弯折的金属微带线（6）、一个CPW馈电口（5），弯折的金属微带线（6）与对称中心另一侧的弯折的金属微带线构成源负载耦合，源负载耦合在低于滤波器通带频率的频段产生了一个传输零点并在高于滤波器通带频率的频段产生2个传输零点；CPW馈电口通过接地金属化过孔（8）连接到第三导体层（11）；第二导体层和第四导体层上分布有两个四分之一波长谐振器；每个四分之一波长谐振器均有一部分位于第二导体层，另一部分位于第四导体层上，这两部分通过第二金属化过孔（21）相连，第二金属化过孔（21）穿过位于第三导体层上的开孔（20），且第二金属化过孔（21）不与第三导体层直接接触；四分之一波长谐振器的短路端位于第二导体层且通过第一金属化过孔（24）连接到第三导体层。