圧電層と関連するメモリ、メモリシステム、および方法を用いるスピントランジスタ

摘要

スピントランジスタと関連するメモリ、メモリシステム、および方法が開示されている。スピントランジスタは、共有されるマルチフェロイック層での少なくとも２つの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）によって提供される。マルチフェロイック層は、金属電極（金属）を有する強磁性薄膜（ＦＭチャネル）を覆う圧電（ＰＥ）薄膜から形成される。強磁性層機能はスピンチャネルとして機能し、圧電層は、チャネルのスピン状態を制御するために、圧電応力を転送するために使用される。共有層の一方の側のＭＴＪは、ソースを形成し、もう一方の側のＭＴＪはスピントランジスタのためのドレインである。