| 发明名称 | 通过使用三烷氧基硅烷制备甲硅烷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了通过使用三烷氧基硅烷制备具有高纯度和高产量的甲硅烷用于制备甲硅烷的方法，更特别是用于经济地制备甲硅烷的方法，所述甲硅烷有用于薄的半导体结构和多功能高纯度多晶硅的组合物。 | ||
| 申请公布号 | CN104797527A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201380057610.9 | 申请日期 | 2013.10.02 |
| 申请人 | OCI有限公司;等离子及雷射科技研究院 | 发明人 | 金宅中;金容逸;金敬烈;金德允;阿舒罗夫·阿塔姆;萨利霍夫·沙夫卡特;罗特施泰恩·弗拉基米尔;阿舒罗瓦·凯可亚特;库巴诺夫·阿齐兹;阿卜迪萨伊多夫·伊缪;阿齐佐夫·苏丹;阿舒罗夫·鲁斯塔姆 |
| 分类号 | C01B33/04(2006.01)I;B01J19/24(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋;杨生平 |
| 主权项 | 用于制备甲硅烷的方法，包括：(a)在液相溶剂中实施硅颗粒的湿粉碎直到所述硅颗粒具有30μm‑100μm的颗粒尺寸；(b)将包含步骤(a)中得到的粉碎的硅颗粒和溶剂的悬浮液连续地供应到反应器中，接着使用铜基催化剂通过粉碎的硅颗粒与无水乙醇反应合成三乙氧基硅烷和四乙氧基硅烷的烷氧基硅烷；和(c)使用乙醇钠作为催化剂由所得的三乙氧基硅烷合成甲硅烷气体。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||