发明名称 POLYMER, RESIST MATERIAL CONTAINING SAME, AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING SAME
摘要 <p>드라이 노광, 액침 노광이나 더블 패터닝으로 행해지는 미세가공에 적합한 레지스트용 중합체 및 그것을 포함하는 레지스트 재료와 그 레지스트 재료를 사용하는 패턴 형성방법을 제공한다.하기 일반식 (1):[화학식 37](식 (1) 중, R은, 각각 독립으로 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이며, R∼R는 각각 독립으로, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 직쇄형, 탄소수 3∼20의 분기형 혹은 고리형의 탄화수소기이며, 그들을 구성하는 탄소원자의 일부가 산소 원자로 치환되어 있어도 되고, 동일 탄소에 결합하는 2개의 수소 원자가 산소 원자로 치환되어 =O이 되어도 되고, 또한 탄화수소의 C-H결합의 H가 OH로 치환되어 C-OH로 되어 있어도 되고, R∼R를 구성하는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있어도 된다. 또한, R∼R의 일부 또는 전부가 결합하여, 고리형 구조를 형성해도 되고, n 및 m은 탄소수이며, 각각 독립하여 0∼5의 정수이다.)로 나타내어지는 반복 단위와, 산분해성기를 가지는 반복 단위를 함유하는 것을 특징으로 하는 중합체를 사용한다.</p>
申请公布号 KR101538722(B1) 申请公布日期 2015.07.22
申请号 KR20137009256 申请日期 2011.09.12
申请人 发明人
分类号 C08F220/26;G03F7/004;G03F7/039;H01L21/027 主分类号 C08F220/26
代理机构 代理人
主权项
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