| 发明名称 | 光电器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种薄膜光电器件，包括：封闭在第一阻挡层结构(20)和第二阻挡层结构(40)之间的功能层结构(30)；所述器件具有导通的电互连导电结构(10)，所述电互连导电结构(10)嵌入在所述第一阻挡层结构(20)内，所述电互连导电结构(10)包括在所述阻挡层结构(20)内横向延伸的至少一个金属细长元件(12a、12b、12c)，所述电互连导电结构(10)设置为抵靠所述功能层结构(30)，所述电互连导电结构(10)具有嵌入所述第一阻挡层结构(20)内的、横向朝向的、被处理过的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102576803B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201080045279.5 | 申请日期 | 2010.08.06 |
| 申请人 | 荷兰应用自然科学研究组织TNO | 发明人 | 樊嘉辰;乔安妮·莎拉·威尔森;安东尼斯·玛丽亚·B·范默尔;S·哈尔科马 |
| 分类号 | H01L51/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 武晨燕;张颖玲 |
| 主权项 | 一种制造薄膜光电器件(1)的方法，包括步骤：(S1)提供第一金属基底(10)；(S2)对所述金属基底的第一主表面(11)进行图案化，从而在所述第一主表面(11)内产生凸起部分(12)和凹陷部分(13)；(S3)在所述金属基底(10)的第一主表面(11)处沉积第一阻挡层结构(20)，其中，所述第一阻挡层结构(20)包括(a)交替的无机层和有机层的堆叠和(b)互相交替的第一无机材料层和第二无机材料层的堆叠中的至少一个；(S4)在与所述第一主表面(11)相对的第二主表面(15)处从所述金属基底去除材料，以显露与所述凹陷部分相对的第一阻挡层结构(20)；(S5)在所述第一阻挡层结构(20)的被从所述金属基底去除材料的一侧，施加功能层结构(30)；(S6)在所述功能结构的与所述第一阻挡层结构相对的一侧，施加第二阻挡层结构(40)。 | ||
| 地址 | 荷兰代尔夫特 | ||