发明名称 溅镀靶;SPUTTERING TARGET
摘要 提供一种溅镀靶,其是以MgO为主成分的溅镀靶,能够进行DC溅镀,且可以藉由溅镀而在基板上生成具有与MgO单体相同结晶构造的薄膜。藉由包含属于非导电性氧化物之MgO和属于导电性氧化物之TiO,且将前述TiO之组成比设为20mol%至60mol%之范围内,来构成整体具有导电性的溅镀靶。
申请公布号 TW201527566 申请公布日期 2015.07.16
申请号 TW103112678 申请日期 2014.04.07
申请人 高纯度化学研究所股份有限公司 KOJUNDO CHEMICAL LABORATORY CO., LTD. 发明人 海野贵洋 UNNO, TAKAHIRO;柴山卓真 SHIBAYAMA, TAKUMA
分类号 C23C14/34(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 庄志强陈家辉
主权项
地址 日本 JP