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经营范围
发明名称
溅镀靶;SPUTTERING TARGET
摘要
提供一种溅镀靶,其是以MgO为主成分的溅镀靶,能够进行DC溅镀,且可以藉由溅镀而在基板上生成具有与MgO单体相同结晶构造的薄膜。藉由包含属于非导电性氧化物之MgO和属于导电性氧化物之TiO,且将前述TiO之组成比设为20mol%至60mol%之范围内,来构成整体具有导电性的溅镀靶。
申请公布号
TW201527566
申请公布日期
2015.07.16
申请号
TW103112678
申请日期
2014.04.07
申请人
高纯度化学研究所股份有限公司 KOJUNDO CHEMICAL LABORATORY CO., LTD.
发明人
海野贵洋 UNNO, TAKAHIRO;柴山卓真 SHIBAYAMA, TAKUMA
分类号
C23C14/34(2006.01)
主分类号
C23C14/34(2006.01)
代理机构
代理人
庄志强陈家辉
主权项
地址
日本 JP
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