发明名称 複数のパワートランジスタを搭載するための基板、およびパワー半導体モジュール
摘要 本発明は、複数のパワートランジスタ(21,30)を上に搭載するための基板(1)を提供する。基板(1)は第1の金属被覆(3)を含み、第1の金属被覆(3)の上には、パワートランジスタ(21,30)がそれらのコレクタまたはエミッタで共通に搭載可能であり、第1の金属被覆(3)は基板(1)上の少なくとも1本のライン(5)において延在する。基板(1)はさらに第2の金属被覆(9)を含み、第2の金属被覆(9)は、パワートランジスタ(21,30)のエミッタまたはコレクタのうち残りの一方への接続のために、第1の金属被覆(3)の少なくとも1本のライン(5)に隣接する区域(11)において延在する。基板(1)はさらに、パワートランジスタ(21,30)のゲートコンタクトパッド(25)への接続のための第3の金属被覆(13)を含み、第3の金属被覆(13)は、接着手段(19)によって相互接続可能であるゲートコンタクト(15)および少なくとも2つのゲート金属被覆区域(16,18)を含む。ゲート金属被覆区域(16,18)は、少なくとも1本のライン(5)に対して平行に配置され、少なくとも1本のライン(5)の長手方向において間隔を空けて配置され、少なくとも1つのゲート金属被覆区域は、基板(1)上において第2の金属被覆(9)によって囲まれたゲートアイランド(16)として設けられる。第2の金属被覆(9)は、その上にそれらのコレクタまたはエミッタで複数のパワートランジスタ(21,30)が搭載されるよう適合され、パワートランジスタ(21,30)は、第1の金属被覆(3)上に搭載されたパワートランジスタ(21,30)と同じ配向を有する。基板(1)は第4の金属被覆(42)を含み、第4の金属被覆(42)は、第2の金属被覆(9)上に搭載可能なパワートランジスタ(21,30)のエミッタまたはコレクタのうち残りの一方への接続のために、第2の金属被覆(9)に隣接する区域(44)において延在する。第5の金属被覆(46)は、第2の金属被覆(9)上に搭載可能なパワートランジスタ(21,30)のゲートコンタクトパッド(25)への接続のために設けられ、第5の金属被覆(46)は、接着手段(19)によって相互接続可能である少なくとも2つのゲート金属被覆区域(16,18)を含む。ゲート金属被覆区域(16,18)は少なくとも1本のライン(5)に対して平行に配置され、少なくとも1本のライン(5)の長手方向において間隔を空けて配置され、少なくとも1つのゲート金属被覆区域が、基板(1)上において第4の金属被覆(42)によって囲まれたゲートアイランド(16)として設けられる。
申请公布号 JP2015519760(A) 申请公布日期 2015.07.09
申请号 JP20150516563 申请日期 2013.06.06
申请人 アーベーベー・テクノロジー・アーゲー 发明人 ハートマン,サミュエル;トリューセル,ドミニク
分类号 H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
地址