| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung enthält ein Substrat mit einer Driftschicht, eine Metallverdrahtung an einer oberen Oberfläche des Substrats und eine Elektrode an einer hinteren Oberfläche des Substrats, wobei die Lebensdauer von Trägern in der Driftschicht dem folgenden Ausdruck 1 genügt.τ≥1,5 × 10–5 exp (5,4 × 103 tN–)(1)mitτ: Lebensdauer der Träger in der Driftschicht tN–: Schichtdicke der Driftschicht.</p> |
