低α射线铋及低α射线铋之制造方法

摘要

本发明之铋之特征在于：α射线量为0.007cph/cm 2 以下。本发明之低α射线铋之制造方法之特征在于：以α射线量0.15cph/cm 2 以下之铋为原料，藉由电解制作铋浓度5~50g/L、pH值0.0~0.4之硝酸铋溶液，并于该溶液中添加20~60%之氢氧化钠水溶液，使带有钋之沈淀物产生，对其进行过滤而分离成沈淀物1与滤液1，其次对滤液1进行电解萃取而回收铋。最近之半导体装置受到高密度化及高电容化，故而因来自半导体晶片附近之材料之α射线之影响，产生软错误(soft error)之危险变多。尤其是谋求一种靠近半导体装置而使用之材料，其对焊锡材料之高纯度化强烈要求且α射线少，因此本发明之课题在于获得一种使可适合所要求之材料之铋即降低α射线量的高纯度铋。