制造薄膜晶体管阵列基板的方法

摘要

公开了一种制造具有增强可靠性的薄膜晶体管(TFT)阵列基板的方法。所公开的方法包括：形成具有至少一个第一金属层和由铜制成的第二金属层的多层结构；形成第一掩模层，该第一掩模层具有与数据线对应的第一掩模区域和与电极图案对应以与有源层交叠的第二掩模区域；图案化多层结构从而形成由多层结构构成的数据线；图案化第二金属层从而形成由至少一个第一金属层构成的电极图案；形成第二掩模层以暴露出与有源层的沟道区对应的部分电极图案；图案化至少一个第一金属层从而形成由至少一个第一金属层构成的源极和漏极。

主权项

一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括彼此交叉以限定多个像素区的栅极线和数据线，所述方法包括：在基板上形成栅极线和分别从相应栅极线分支到像素区的栅极；在基板上方形成栅极绝缘膜以覆盖栅极线和栅极；在栅极绝缘膜上形成有源层以分别与栅极交叠；在栅极绝缘膜上方形成包括至少一个第一金属层和由铜(Cu)制成的第二金属层的多层结构；在多层结构上形成第一掩模层，该第一掩模层包括分别对应于数据线同时具有第一高度的第一掩模区域、和分别对应于电极图案以与有源层交叠同时具有低于第一高度的第二高度的第二掩模区域；在已经形成了第一掩模层的条件下，图案化多层结构从而形成由多层结构构成的数据线；去除第一掩模层的第二区域，并灰化第一掩模层以使第一掩模区域具有低于第一高度的第三高度；在已经形成了具有第三高度的第一掩模区域的条件下图案化第二金属层，从而形成由至少一个第一金属层构成的电极图案；去除具有第三高度的第一掩模区域，并在栅极绝缘膜上形成第二掩模层以暴露出分别对应于有源层的沟道区的部分电极图案；和在已经形成了第二掩模层的条件下图案化至少一个第一金属层，从而形成由至少一个第一金属层构成且在相应有源层的每个沟道区的相对两侧彼此间隔的源极和漏极。