高功率发光装置

主权项

一种用于制造一发光装置之方法，包含：形成一发光装置，包含：提供一成长基板；形成一未掺杂型半导体层于该成长基板之上，其中该未掺杂型半导体层未被人为地掺杂掺杂物；形成一第二掺杂型半导体层于该未掺杂型半导体层之上；形成一发光层于该第二掺杂型半导体层之上；以及形成一第一掺杂型半导体层于该发光层之上；形成一接合层于一支持基板与该第一掺杂型半导体层之间以接合该发光装置与该支持基板；移除该成长基板；以一后制程于该未掺杂型半导体层之一上表面形成一周期结构，其中该后制程包含微影；以及形成一向下延伸之开口以裸露部分该第二掺杂型半导体层。