制造FinFET器件的方法

摘要

本发明提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的方法，该方法包括在衬底上方形成第一介电层，以及然后蚀刻第一介电层和衬底以形成第一鳍和第二鳍。沿着第一鳍和第二鳍的侧壁形成第二介电层。在第一鳍和第二鳍的上方沉积保护层。去除位于第二鳍上的保护层的一部分和第一介电层，且然后对第二鳍凹进以形成沟槽。在沟槽中外延生长半导体材料层。去除保护层以显露第一鳍和第二鳍。

主权项

一种用于制造鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成具有第一厚度的第一介电层；蚀刻所述第一介电层和所述衬底以形成第一鳍和第二鳍，所述第一介电层位于所述第一鳍和所述第二鳍之上；沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁形成厚度不同于第一厚度的第二介电层；在所述第一鳍和所述第二鳍上方形成保护层；去除所述第二鳍上的所述保护层的一部分和所述第一介电层；使所述第二鳍凹进以形成沟槽；在所述沟槽中凹进的第二鳍上外延生长半导体材料层；以及去除所述保护层以显露所述第一鳍和所述第二鳍，使得：所述第一鳍由衬底材料形成，并且所述第一介电层位于其顶部上且所述第二介电层位于其侧壁上；以及所述第二鳍由所述半导体材料层形成。