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经营范围
发明名称
半导体装置的制造方法
摘要
申请公布号
TWI489534
申请公布日期
2015.06.21
申请号
TW098118739
申请日期
2009.06.05
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
及川欣聪;小路博信;江口晋吾
分类号
H01L21/304;B23K26/38;H01L21/70;H01L27/04;B23K101/40
主分类号
H01L21/304
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:将分别包括半导体积体电路及天线的多个元件层密封在第一绝缘体和第二绝缘体之间;形成包括第一导电层、该第一绝缘体、该多个元件层、该第二绝缘体、以及第二导电层的叠层结构,其中该第一绝缘体、该多个元件层、以及该第二绝缘体夹置于该第一导电层与该第二导电层之间;以及使该第一绝缘体及该第二绝缘体熔化,藉以分割该叠层结构,以至少包括一个该半导体积体电路及一个该天线。
地址
日本
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