| 发明名称 | 形成多晶矽膜之方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI489524 | 申请公布日期 | 2015.06.21 |
| 申请号 | TW097138788 | 申请日期 | 2008.10.08 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 冈田充弘;宫原孝广;西村俊治 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 代理人 | 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 | |
| 主权项 | 一种用于形成一掺杂有磷或硼之多晶矽膜之多晶矽膜形成方法，该方法包含：在一反应容器内部加热一置放于一真空氛围中之一目标基板，且朝该反应容器中供应一矽膜形成气体、一用于以磷或硼掺杂一膜之掺杂气体，及C2H4作为一含有一用以延迟自一多晶矽晶体形成柱状晶体且促进该多晶矽晶体之小型化之组份的粒度调整气体，藉此在该目标基板上沈积一掺杂有磷或硼之矽膜。 | ||
| 地址 | 日本 | ||