Halbleiterbauelement, Halbleiterverbindungsstruktur und Herstellungsverfahren

摘要

Halbleiterbauelement, umfassend: eine erste leitfähige Komponente; eine erste Durchkontaktierung, die über der ersten leitfähigen Komponente angeordnet und damit elektrisch gekoppelt ist; eine zweite Durchkontaktierung, die über der ersten Durchkontaktierung angeordnet und damit elektrisch gekoppelt ist, wobei sich die zweite Durchkontaktierung von der ersten Durchkontaktierung unterscheidet; und eine zweite leitfähige Komponente, die über der zweiten Durchkontaktierung angeordnet und damit elektrisch gekoppelt ist, wobei das Halbleiterbauelement ein Substrat und eine über dem Substrat angeordnete Verbindungsstruktur enthält und die erste leitfähige Komponente, die zweite leitfähige Komponente, die erste Durchkontaktierung und die zweite Durchkontaktierung in der Verbindungsstruktur angeordnet sind und wobei die erste leitfähige Komponente eine Verbindungsleitung in einer ersten Verbindungsschicht der Verbindungsstruktur ist; die zweite leitfähige Komponente eine Verbindungsleitung in einer zweiten Verbindungsschicht der Verbindungsstruktur über der ersten Verbindungsschicht ist; und sich keine weitere Verbindungsschicht zwischen der ersten Verbindungsschicht und der zweiten Verbindungsschicht befindet, wobei die erste Durchkontaktierung sich über die Grenzen der ersten Verbindungsleitung aus einer Draufsicht erstreckt; und die zweite Durchkontaktierung sich über die Grenzen der zweiten Verbindungsleitung aus einer Draufsicht erstreckt.