| 发明名称 | 一种氮化镓基发光二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型一种氮化镓基发光二极管结构，包括：衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、第一N型GaN层、N型电子阻挡层、第二N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层，还包括位于第二N型GaN层上的N电极和位于P型GaN层上的P电极，其特征在于：所述N电极位于所述InGaN/GaN超晶格结构层形成的接触面上，InGaN/GaN超晶格结构层作为N型接触层，此外，超晶格结构层具有穿透效应，可以降低介于衬底和量子阱发光层之间的N型层的串联电阻值和N型层的接触电阻，使得LED器件的操作电压降低。 | ||
| 申请公布号 | CN204407349U | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201520127109.1 | 申请日期 | 2015.03.05 |
| 申请人 | 安徽三安光电有限公司 | 发明人 | 黄文宾;谢祥彬;林兓兓;张家宏 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种氮化镓基发光二极管，包括：衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、第一N型GaN层、N型电子阻挡层、第二N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层，还包括位于第二N型GaN层上的N电极和位于P型GaN层上的P电极，其特征在于：所述第二N型GaN层内部设有InGaN/GaN超晶格结构层，所述N电极位于所述InGaN/GaN超晶格结构层形成的接触面上，所述InGaN/GaN超晶格结构层作为N型接触层。 | ||
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 | ||