| 发明名称 | 导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶随着靶的大型化，即使向靶投入大功率也能够抑制喷溅，并且能够形成耐蚀性及耐热性优异、且低电阻的膜。导电性膜形成用银合金溅射靶由具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的银合金构成，或者由具有还含有0.1～1.5质量%的In的成分组成的银合金构成，银合金晶粒的平均粒径为120～400μm，或含有In时为120～250μm，晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103443323B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201280013584.5 | 申请日期 | 2012.04.02 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 野中庄平;小见山昌三 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I;H05B33/26(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，由具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的银合金构成，所述银合金的晶粒的平均粒径为120～400μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||