| 发明名称 |
磁阻元件及磁性随机存取记忆体;MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY |
| 摘要 |
根据一实施例，一种磁阻元件包括一第一磁性层、一第二磁性层、一第一非磁性层、一第二非磁性层及一第三磁性层。该第一磁性层具有一可变磁化方向。该第二磁性层具有一不变磁化方向且包含一非磁性材料薄膜及一磁性材料薄膜。该第一非磁性层配置于该第一磁性层与该第二磁性层之间。该第二非磁性层配置于该第二磁性层之一表面上。该第三磁性层配置于该第二非磁性层之一表面上。该第二非磁性层与包含于该第二磁性层中之该非磁性材料薄膜接触。 |
| 申请公布号 |
TW201523946 |
申请公布日期 |
2015.06.16 |
| 申请号 |
TW103130877 |
申请日期 |
2014.09.05 |
| 申请人 |
上田公二 UEDA, KOJI |
发明人 |
上田公二 UEDA, KOJI;永濑俊彦 NAGASE, TOSHIHIKO;泽田和也 SAWADA, KAZUYA;李永珉 EEH, YOUNGMIN;渡边大辅 WATANABE, DAISUKE;与田博明 YODA, HIROAKI |
| 分类号 |
H01L43/08(2006.01);H01L21/8246(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L29/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP; |
