光电转换装置

摘要

本发明提供一种第一半导体层与电极层之间的粘接性高、且光电转换效率高的光电转换装置。本发明的光电转换装置（10）包括：电极层（2）；配置在该电极层（2）上且含有I-III-VI族黄铜矿系化合物半导体和氧的第一半导体层（3）；以及配置在所述第一半导体层（3）上且与所述第一半导体层（3）形成pn结的第二半导体层（4）。并且，在光电装置（10）中，对所述第一半导体层（3）而言，自所述第一半导体层（3）的层叠方向的部位于所述电极层（2）侧的部位的氧摩尔浓度，大于所述第一半导体层（3）整体的氧摩尔浓度。

主权项

一种光电转换装置，其特征在于，包括：电极层；第一半导体层，配置在所述电极层上且含有I‑III‑VI族黄铜矿系化合物半导体和氧；以及第二半导体层，配置在所述第一半导体层上且与所述第一半导体层形成pn结，而且，在所述第一半导体层中，自所述第一半导体层的层叠方向的中央部位于所述电极层侧的部位的氧摩尔浓度，大于所述第一半导体层的平均氧摩尔浓度。