发明名称 ETCHANT AND MANUFACTURING METHOD OF METAL WIRING AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING THE SAME
摘要 <p>본 발명의 일 실시예는 식각액 조성물에 관한 것으로서, 상기 조성물의 총 중량에 대하여 과황산염 0.5 내지 20 중량%, 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, 무기산 1 내지 10 중량%, 고리형 아민화합물 0.5 내지 5 중량%, 한 화합물에 아미노기와 술폰산기를 동시에 갖는 화합물 0.1 내지 10.0 중량%, 유기산 또는 그의 염 0.1 내지 15.0 중량%, 그리고 전체 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함하는 식각액 조성물을 제공한다.</p>
申请公布号 KR101527117(B1) 申请公布日期 2015.06.09
申请号 KR20130074896 申请日期 2013.06.27
申请人 发明人
分类号 C23F1/16;C23F1/18 主分类号 C23F1/16
代理机构 代理人
主权项
地址