发明名称 PROCEDE ET SYSTEME DE DEPOT D'OXYDE SUR UN COMPOSANT POREUX
摘要 Procédé et système de formation d'une couche d'oxyde sur un composant perméable réalisé en un matériau ou un empilement de matériaux stable à 400°C, ledit composant comprenant une surface extérieure à revêtir et au moins un pore de diamètre compris entre 50 et 1000 µm débouchant sur ladite surface extérieure, comprenant les étapes suivantes : a) Injection d'un gaz porteur chargé de gouttelettes d'au moins un précurseur de l'oxyde dans un plasma basse pression au sein d'une enceinte de réacteur à plasma logeant le composant à revêtir, et injection d'un fluide passant par le composant perméable et s'écoulant à l'état gazeux par ledit au moins un pore à flux opposé à celui du gaz porteur dans la chambre à plasma pour éviter le colmatage du pore, la pression et le débit massique dudit fluide en amont du composant perméable étant tels que la pression du gaz en sortie du au moins un pore est supérieure à la pression dans la chambre à plasma et que la vitesse du gaz à la sortie du au moins un pore est supérieure ou égale à la vitesse d'arrivée du gaz porteur chargé d'au moins un précurseur de l'oxyde à la surface du matériau perméable, b) Injection d'un gaz porteur non chargé de précurseur de l'oxyde dans un plasma au sein de la chambre à plasma, l'injection du fluide passant par le composant perméable étant maintenu les étapes a) et b) étant répétées, pour former sur la surface extérieure ledit oxyde, le diamètre du au moins un pore étant préservé.
申请公布号 FR3014115(A1) 申请公布日期 2015.06.05
申请号 FR20130061945 申请日期 2013.12.02
申请人 OFFICE NATIONAL D'ETUDES ET DE RECHERCHES AEROSPATIALES (ONERA) 发明人 BACOS MARIE-PIERRE;ROUSSEAU FREDERIC;MORVAN DANIEL
分类号 C23C4/12 主分类号 C23C4/12
代理机构 代理人
主权项
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