发明名称 4430nm带通红外滤光敏感元件
摘要 本实用新型公开了一种4430nm带通红外滤光敏感元件,包括以蓝宝石为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种4430nm带通红外滤光敏感元件,其中心波长4430±15 nm,其在医用红外气体检测分析过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70%,带宽=30±10nm,400~11000 nm(除通带外),Tavg<0.1%。
申请公布号 CN204374474U 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201420758415.0 申请日期 2014.12.07
申请人 杭州麦乐克电子科技有限公司 发明人 吕晶;王继平;余初旺
分类号 G02B5/20(2006.01)I 主分类号 G02B5/20(2006.01)I
代理机构 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人 周豪靖
主权项  一种4430nm带通红外滤光敏感元件,包括以蓝宝石为原材料的基板(2),以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有214nm厚度的Ge层、225nm厚度的SiO层、215nm厚度的Ge层、264nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、195nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、321nm厚度的SiO层、120nm厚度的Ge层、245nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、131nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、295nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、524nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、326nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、594nm厚度的SiO层、363nm厚度的Ge层、1116nm厚度的SiO层、274nm厚度的Ge层、1132nm厚度的SiO层、290nm厚度的Ge层、1115nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、571nm厚度的SiO层;所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有346nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、255nm厚度的Ge层、120nm厚度的SiO层。
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