形成具有带内陷电极的电容器的存储器设备的方法

摘要

描述了用于形成具有带内陷电极的MIM电容器的存储器设备。在一个实施例中，用于形成带内陷电极的MIM电容器的方法包括：形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中下部部分形成挖空特征物的底部，而上部部分形成挖空特征物的侧壁。该方法包括：在特征物上沉积下部电极层，在下部电极层上沉积电绝缘层，以及在电绝缘层上沉积上部电极层，从而形成MIM电容器。该方法包括：移除MIM电容器的上部部分以暴露电极层的上表面，并随后选择性地蚀刻电极层中的一个以使得电极层中的一个内陷。该内陷操作使电极彼此隔离，并减少了电极之间漏电通路的可能性。

主权项

一种嵌入式存储器设备，包括：挖空特征物，其由下部部分和上部部分来界定并包括被斜切的区域，其中所述下部部分形成所述挖空特征物的底部，所述上部部分形成所述挖空特征物的侧壁；以及金属‑绝缘体‑金属电容器，其沉积在所述挖空特征物上，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括：第一导电层，具有被斜切的上部转角，其中所述第一导电层的被斜切的上部转角的上表面以及所述挖空特征物的被斜切区域的上表面是平坦的，所述第一导电层包括上部部分和下部部分，所述第一导电层的上部部分和下部部分彼此分离且彼此电绝缘。