发明名称 一种全固态薄膜锂离子电池负极及其制备方法
摘要 本发明涉及一种全固态薄膜锂离子电池负极及其制备方法,全固态薄膜锂离子电池负极包括电极基片、覆盖在电极基片表面的负极薄膜,特别是,所述的负极薄膜为通过射频磁控溅射方法形成的纳米硅薄膜。本发明采用纳米硅薄膜作为负极薄膜,其具有非常高的质量比容量(接近4000mAh/g),是理想的负极材料。本发明的电池负极具有非常优异的充放电循环可逆性,电池使用寿命长。
申请公布号 CN102891281B 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201210396461.6 申请日期 2012.10.18
申请人 苏州晶纯新材料有限公司 发明人 钟小亮;王广欣;王树森
分类号 H01M4/134(2010.01)I;H01M4/1395(2010.01)I 主分类号 H01M4/134(2010.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 汪青
主权项  一种全固态薄膜锂离子电池负极的制备方法,其特征在于:所述的全固态薄膜锂离子电池负极包括电极基片、覆盖在所述电极基片表面的负极薄膜,所述的负极薄膜为通过射频磁控溅射方法形成的纳米硅薄膜,所述的制备方法包括如下步骤:①、以相对密度大于等于99.8%、纯度大于等于99.999%的单晶硅作为靶材,以电极基片为衬底,安装好靶材和基片后,关闭溅射室,将溅射室抽真空至1.0×10<sup>‑4</sup>Pa或以下,充入1个大气压的氩气,再将室内气体压强抽至0.1~3Pa;②、预溅射,以清理靶材表面的氧化层和杂质;③、设定溅射功率范围为1W/cm<sup>2</sup>~6W/cm<sup>2</sup>,靶基距离40mm~100mm,溅射时间为2~10小时,形成纳米硅薄膜,所述纳米硅薄膜的厚度为0.01~2微米,所述纳米硅薄膜的放电质量比容量大于3500mAh/g,所述纳米硅薄膜按10C充放电100周,容量保持率大于90%。
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