半导体发光器件以及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电构件、绝缘层、密封构件和光学层。发光单元包括半导体堆叠体以及第一和第二电极。半导体堆叠体包括第一和第二半导体层以及发光层，并且具有在第二半导体层侧的主表面。第一和第二电极分别连接到主表面侧的第一和第二半导体层。第一导电构件连接到第一电极并且包括覆盖第二半导体层的一部分的第一柱状部分。绝缘层设置在第一柱状部分和第二半导体层的所述部分之间。密封构件覆盖导电构件的侧表面。光学层设置在其它主表面上。

主权项

一种半导体发光器件，包括：发光单元，包括：半导体堆叠体，该半导体堆叠体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层，所述半导体堆叠体具有第一半导体层侧的第一主表面和第二半导体层侧的第二主表面，第一电极，该第一电极在第二主表面侧电连接到所述第一半导体层，以及第二电极，该第二电极在所述第二主表面侧电连接到所述第二半导体层；电连接到所述第一电极的第一导电构件，所述第一导电构件包括设置在所述第二主表面上的第一柱状部分以覆盖所述第二半导体层在所述第二主表面侧的一部分，所述第一柱状部分与所述第二半导体层分离；绝缘层，该绝缘层设置在所述第一柱状部分和所述第二半导体层在所述第二主表面侧的所述一部分之间；电连接到所述第二电极的第二导电构件，所述第二导电构件包括设置在所述第二主表面上的第二柱状部分；密封构件，该密封构件覆盖所述第一导电构件的侧表面和所述第二导电构件的侧表面；以及设置在所述半导体堆叠体的所述第一主表面上的光学层，所述光学层包括波长转换单元，该波长转换单元被配置成吸收从所述发光层发射的发射光并且发射具有与所述发射光的波长不同的波长的光，所述第一导电构件的所述半导体堆叠体侧的端表面中的、与所述第一电极接触的所述第一导电构件的端表面的面积比与所述第一导电构件的所述半导体堆叠体相反侧的端表面的面积小，所述第二导电构件的所述半导体堆叠体侧的端表面的面积比与所述第二导电构件的所述半导体堆叠体相反侧的端表面的面积大，在从与所述第一主表面垂直的方向观察时，所述第一导电构件和所述第二导电构件不重叠。