| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements (100), wobei das Verfahren folgendes umfasst: Bereitstellen eines Wafers (30), der eine erste Hauptfläche (4) mit Chipkontaktpads (32) aufweist; Ausbilden einer Polymerschicht (6) auf der ersten Hauptfläche (4) des Wafers (30); Zerlegen des Wafers (30) in Halbleiterchips (1); Bereitstellen eines Trägers (50), auf dem ein Klebeband (51) aufgebracht ist; Platzieren von mindestens zwei Halbleiterchips (1) auf dem Träger (50) derart, dass die Polymerschicht (6) dem Klebeband (51) zugewandt ist; Bedecken der mindestens zwei Halbleiterchips (1) mit einem Kapselungsmaterial, wodurch eine Vergussmasse (2) ausgebildet wird; Entfernung des Trägers (50) und des Klebebands (51) von der Vergussmasse (2) und Verdünnen der Polymerschicht (6), wobei nach dem Verdünnen der Polymerschicht (6) Verunreinigungen und Vermischungsschichtreste des Klebebands (51) vollständig beseitigt sind und eine gemeinsame planare Oberfläche (10), die eine Oberfläche (3) der Vergussmasse (2) und eine Oberfläche (7) der verdünnten Polymerschicht (6) aufweist, größte stufenartige Höhenvariationen von unter 1000 nm aufweist. |
