摘要 |
<p>본 발명은 표시 장치의 화소부에 이용되는 고신뢰성을 갖는 산화물 반도체막을 포함하는 트랜지스터를 제공한다. 제 1 게이트 전극과, 제 1 게이트 전극 위에 형성된 제 1 게이트 절연막과, 제 1 게이트 절연막 위에 형성된 산화물 반도체막과, 산화물 반도체막 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극과, 소스 전극, 드레인 전극 및 산화물 반도체막 위에 형성된 제 2 게이트 절연막과, 제 2 게이트 절연막 위에 형성된 제 2 게이트 전극과, 제 2 게이트 절연막 위에 형성된 평탄성을 갖는 유기 수지막과, 평탄성을 갖는 유기 수지막 위에 형성된 화소 전극을 갖고, 산화물 반도체막은 이차이온 질량 분석법으로 검출되는 수소 원자의 농도가 1×10cm미만인 표시 장치이다.</p> |