| 发明名称 | 一种蚀刻栅极介电层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种蚀刻栅极介电层的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上沉积氧化物层；执行去耦极等离子体氮化工艺，在氧化物层中掺杂氮以形成氮氧化物层；在半导体衬底上形成图案化的光刻胶层，露出部分氮氧化物层；以图案化的光刻胶层为掩膜，蚀刻去除露出的氮氧化物层；采用臭氧水或者SC1溶液处理露出的半导体衬底的表面；采用湿法清洗去除光刻胶层，其中，光刻胶层下方的氮氧化物层构成栅极介电层。根据本发明，可以在半导体衬底的实现不同功能的器件区域形成具有不同厚度的栅极介电层，且所述形成过程不会对栅极介电层造成损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN104658899A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310597012.2 | 申请日期 | 2013.11.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种蚀刻栅极介电层的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积氧化物层；执行去耦极等离子体氮化工艺，在所述氧化物层中掺杂氮以形成氮氧化物层；在所述半导体衬底上形成图案化的光刻胶层，露出部分所述氮氧化物层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，蚀刻去除所述露出的氮氧化物层；采用臭氧水或者SC1溶液处理露出的所述半导体衬底的表面；采用湿法清洗去除所述光刻胶层，其中，所述光刻胶层下方的所述氮氧化物层构成所述栅极介电层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||