一种采用激光辐照氮化镓外延片改善以其为基底的LED发光性能的方法

摘要

一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善以其为基底的LED发光性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片(表面为p型)进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm²-0.6J/cm²，采用磁控溅射的方法在样品表面淀积金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等一些金属半导体欧姆接触的电学测试，经测试，辐照后样品的各项电学性质发生了显著变化，表明在辐照后其欧姆接触得到了极大的改善。对辐照前后的GaN外延片进行流程化LED工艺制作，再对其正向电压、反向漏电流、光出射功率等LED特性参数测试，均得到了不同程度的改善。

主权项

一种采用激光辐照氮化镓外延片改善以其为基底的LED发光性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将氮化镓外延片浸入丙酮溶剂超声清洗5分钟后，冲洗；浸入酒精溶剂超声清洗5分钟后，冲洗；浸入去离子水中超声清洗10分钟后，冲洗，干燥；2)将经步骤1)处理过的GaN外延片样品放在靶台上，调整光路，激光器波长为248nm；3)采用脉冲激光单脉冲能量密度0.15J/cm²‑0.6J/cm²，频率3Hz‑10Hz，脉冲数为60‑120辐照样品。