发明名称 |
PROCEDE DE SIMULATION DE FIABILITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION |
摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de simulation de circuit comprenant : simuler, par un dispositif de traitement, le comportement d'un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) sur la base d'au moins une première tension base-émetteur (VBE) du transistor pour déterminer une première densité de courant de base ou de collecteur (JB, JC) du dispositif HBT ; et déterminer si l'application de la première tension base-émetteur au dispositif HBT va provoquer une dégradation du courant de base en réalisant une première comparaison de la première densité de courant à une première limite de densité de courant.</p> |
申请公布号 |
FR3013474(A1) |
申请公布日期 |
2015.05.22 |
申请号 |
FR20130061179 |
申请日期 |
2013.11.15 |
申请人 |
STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS;STMICROELECTRONICS SA |
发明人 |
IGHILAHRIZ SALIM;CACHO FLORIAN;HUARD VINCENT |
分类号 |
G06F17/50;H01L21/8222;H01L29/737 |
主分类号 |
G06F17/50 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|