发明名称 可控制地植入工件的装置与方法
摘要
申请公布号 TWI485743 申请公布日期 2015.05.21
申请号 TW099139576 申请日期 2010.11.17
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 雷诺 安东尼;葛特 卢多维克;米勒 提摩太J;欧尔森 约瑟C;辛 维克拉姆;布诺德诺 詹姆士;瑞曼帕 迪帕克A;罗 拉塞尔J;古普塔 阿塔尔;丹尼尔斯 凯文M
分类号 H01J37/317;H01L21/265 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种处理装置,包括:电浆源,经组态以在电浆腔室中产生电浆,所述电浆含有用于植入至工件中之离子;具有孔隙之聚焦板,所述聚焦板经组态以修改接近所述聚焦板之电浆外鞘之形状,以使得所述离子离开所述孔隙以界定聚焦离子;以及与所述聚焦板隔开的含有所述工件之处理腔室,其中所述聚焦离子具有实质上比所述孔隙窄之植入宽度,且所述处理腔室经组态以藉由在植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区,其中所述聚焦板包括毯覆式孔隙以及选择性孔隙集合,且其中在单一扫描中扫描所述工件产生处于第一离子剂量的所述工件之毯覆式植入与处于第二较高剂量的所述工件之区域集合的选择性植入。
地址 美国