スピンバルブ

摘要

本発明は、層面に対して垂直方向に磁化された二つの層から成るＭＲＡＭメモリユニットにおいて使用するためのスピンバルブに関する。二つの層は中間層によって離隔されており、またリファレンス層はフェリ磁性の材料から形成されており、フリー層は強磁性材料又はフェリ磁性材料から形成されている。スピンバルブにおいては、リファレンス層とフリー層との間に交換バイアス（交換異方性）が存在し、この交換バイアスによってフリー層の優先配向が安定化される。スピンバルブを室温で読み出すことができ、また完全に新規の書き込みを行うことができる（リセット）。スピンバルブの交換バイアスは更にトレーニング効果を示さない。記憶されている情報の時間的な安定性は、リファレンス層の保磁力の設定された大きさに依存する。