一种硅穿孔的制造方法

摘要

本发明公开了一种硅穿孔(TSV)的制造方法，包含以下步骤：步骤1，提供一半导体硅基片，该硅基片具有正面和背面；在所述硅基片的正面形成硅穿孔图形；步骤2，在所述硅穿孔的底部形成研磨异质；步骤3，对所述硅穿孔进行填充和平坦化；步骤4，完成前道器件工艺和后道连线工艺，从所述硅基片的背面进行研削减薄工艺，减薄工艺接触到研磨异质后停止或者过研磨一定量，过研磨需要保留部分研磨异质；步骤5，去除研磨异质，调整硅穿孔突出或者凹陷的高度。本发明能改善TSV减薄工艺中的工艺波动，改善硅片间的厚度稳定性，同时解决TSV填充金属在研磨过程中的拉丝问题。

主权项

一种硅穿孔的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，提供一半导体硅基片，该硅基片具有正面和背面；在所述硅基片的正面形成硅穿孔图形；步骤2，在所述硅穿孔的底部形成研磨异质；步骤3，对所述硅穿孔进行填充和平坦化；步骤4，完成前道器件工艺和后道连线工艺，从所述硅基片的背面进行研削减薄工艺，减薄工艺接触到研磨异质后停止或者过研磨一定量，过研磨需要保留部分研磨异质；步骤5，去除研磨异质，调整硅穿孔突出或者凹陷的高度。