用于半导体目标之量测的微分方法及装置;DIFFERENTIAL METHODS AND APPARATUS FOR METROLOGY OF SEMICONDUCTOR TARGETS

摘要

本发明揭示用于判定用于半导体结构之处理程序参数或结构参数之装置及方法。自定位于一半导体晶圆上之复数个区段中之一或多个目标获取复数个光学信号。该等区段系与用于制造该一或多个目标之不同处理程序参数相关联，且该等经获取之光学信号含有关于一顶部结构之一所关注参数(POI)之资讯，以及关于形成于此顶部结构下面之一或多个底层之一或多个底层参数之资讯。产生一特征提取模型以自此等经获取之光学信号提取复数个特征信号，使得该等特征信号含有用于该POI之资讯而排除用于该等底层参数之资讯。基于由该特征提取模型提取之该等特征信号判定各区段之各顶部结构之一POI值。